| 我国氧化锌体单晶生长技术在桂林取得进展 |
| 新闻出处：电子产品世界
发布时间：2007-11-15 |
近日桂林矿产地质研究院有消息称，该院国家特种矿物材料工程技术研究中心张昌龙高级工程师领导的研究小组，采用水热法生长出了15.0mm×15.6mm×6.1mm的氧化锌晶体，晶体透明，颜色为浅黄绿。据悉，这是我国在氧化锌晶体研究方面取得的最新进展。
这项工作由国家“863”项目“ZnO短波长激光器若干关键技术研究”资助，经桂林矿地院、中科院上海光机所、南京大学等单位历时两年的联合攻关，现已基本掌握了氧化锌晶体水热法生长的相关技术，成功解决了精确控制晶体生长温度、温差、衬套管内外压力平衡等一系列技术难题。
氧化锌晶体是第三代半导体的核心基础材料之一，它既是一种宽禁带半导体，也是一种具有优异光电性能的多功能晶体。早在上世纪60年代，美国曾采用水热法生长出重达几克的琥珀色氧化锌晶体。我国上海硅酸盐研究所在1976年也曾用水热法生长出重60克、C面上面积达6cm2的氧化锌晶体。但由于应用领域较窄，制约了研究工作的开展。直到1997年，日本和我国香港的科学家首次报道氧化锌薄膜室温下的光致发光效应后，重新引起了人们对氧化锌晶体研发的重视。特别是2004年，日本东北大学川崎教授率先研制成功基于ZnO同质PN结的电致发光LED，标志着利用氧化锌半导体材料制作实用化光电器件的时代即将到来。由此引发了世界发达国家在这一研究领域新一轮的激烈竞争。
据介绍，实现氧化锌器件产业化有两个重要技术环节：一是氧化锌薄膜制备；二是氧化锌体单晶制备。目前，我国氧化锌薄膜制备技术与发达国家差距不大，而氧化锌晶体制备技术则差距较大。现在，日本已生长出直径达2英寸的大尺寸高质量的氧化锌体单晶。为了尽快缩小与发达国家的差距，桂林矿产地质研究院、中科院上海光机所和南京大学的联合课题组，将向水热法生长2英寸氧化锌晶体的新研究目标冲击。
凡本网注明"稿件来源：“电子产品世界或者EEPW”的所有文字、图片和音视频稿
件，版权均属电子产品世界所有，任何媒体、网站或个人在转载、链接、转贴或以其他
方式复制发表时必须注明"稿件来源：“电子产品世界”并署作者名称。 |
| 【关闭】 【打印】 |
|
|
 |
电子材料专题 |
 |
|
|
|
|
