Freescale采用它的第七代高压(HV7) RF LDMOS技术,推出工作在3.5GHz波段的WiMAX基站的RF功率晶体管.这是第一个采用这种技术(RF LDCMOS)制造的功率晶体管,其它制造商从未解决过这样的问题.

　　Freescale已能提供12V GaAs PHEMT系列产品,继续开发高压GaAs PHEMT技术,它能制造更高功率的GaAs器件,用在WiMAX系统设计以及在2GHz和6GHz间的其它应用.

　　通过提供RF LDMOS和GaAsPHEMT的功率晶体管,Freescale RF 解决方案支持任何大功率无线基础设备的应用:LDMOS性能高达3.8GHz,GaAs PHEMT性能高达6GHz.

　　WiMAX:严格的要求

　　WiMAX系统采用64QAM OFDM信号.QAM OFDM信令对于功率放大器设计者带来一些独特的挑战.在功率回退的RF功率晶体管线性是至关重要的,不仅在有掩模要害的广谱形式,而且在误差向量幅度(EVM)要求.在此之前,硅LDMOS技术在3.5GHz并不提供可接收的RF功率性能.这就意味着化合物半导体器件如GaAs PHEMT是唯一可用的设计器件.Freescale先进的3.5GHz HV7 LDMOS器件提供WiMAX系统所需的效率,线性度和EVM性能,为设计者在化合物半导体和硅LDMOS器件间提供了选择.

　　现在可提供3.5GHz LDMOS的最初器件样品. MRF7S38075H是具有75W P1dB的RF晶体管,平均功率42dBm(16W),满足3.5GHz波段WiMAX性能要求.此外,40W和10W P1dB 3.5GHz器件将在2006年第二季度推出.这三种LDMOS器件目标用在2.3GHz,2.5GHz 和3.5GHz 新兴WiMAX/WiBRO波段.
先进的HV7 LDMOS器件补充了用在3.5GHz WiMAX的12V GaAs PHEMT器件,正在开发的新型高压GaAs器件将工作在6GHz.这使它们非常适合用在这个频率范围的WiMAX和其它无线应用.工作电压超过20V,GaAs器件将会费获得高达100W的功率而依然能满足数字调制系统的严格要求.

　　2006年第三季度将会提供它的第一个高压GaAs PHEMT器件.

　 （来源　中电网）